了解英飞凌如何推出符合可再生能源和储能系统市场趋势的正确产品，例如使用CoolSiC MOSFET 的集成逆变器。英飞凌CoolSiC MOSFET 可将损耗降低50%，从而提供更多能量。碳化硅CoolSiC MOSFET 系列面向系统设计人员，提供出色的性能、可靠性和易用性。

英飞凌创新的OptiMOS、CoolMOS 和StrongIRFET 中压和低压功率MOSFET 始终满足关键电源系统设计规范中严格的质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。了解英飞凌如何应对可再生能源和储能系统的市场趋势，例如集成CoolSiC MOSFET 的逆变器。

1、infinitely

EiceDRIVER 1EDB 系列专门设计用于驱动Si、SiC 和GaN 功率开关，提供符合UL1577 要求的3 kV 隔离，而EiceDRIVER 2Edi 系列可灵活配置为具有功能和增强隔离级别驱动器的半桥或高边驱动器。

由于电池组占储能系统整个系统成本的大部分，将超级结MOSFET改为CoolSiCTM MOSFET可以在不增加电池尺寸的情况下提供约2%的额外能量。